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大功率LED灯珠的晶片的主要技术参数

发布日期:2021-11-26 18:58:16

晶片的主要技术参数: 

A、晶片的伏安特性图: 

B、顺向电压(VF):施加在晶片两端,使晶片正向导通的电压。此电压与晶片本身和测试电流存在相应的关系。VF过大,会使晶片被击穿。 

C、顺向电流(IF):晶片在施加一定电压后,所产生的正向导通电流。IF的大小,与顺向电压的大小有关。晶片的工作电流在10-20mA左右。 

D、逆向电压(VR):施加在晶片上的反向电压。 

E、逆向电流(IR):是指晶片在施加反向电压后,所产生的一个漏电流。此电流越小越好。因为电流大了容易造成晶片被反向击穿。 

F、亮度(IV):指光源的明亮程度。 

G、单位换算:1cd=1000mcd、波长:反映晶片的发光颜色。不同波长的晶片其发光颜色也就不同。单位:nm。 

H、光:是电磁波的一种。波长在0.1mm-10nm之电磁波称为光。光可分为:波长大于0.1mm称为电波;760nm-0.1nm叫红外光;380nm-760nm叫可见光; 10nm-380nm叫紫外光;波长小于10nm的是X线光。 
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